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IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds

メーカー:
IXYS
記述:
IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds
カテゴリー:
IGBTモジュール
内部在庫:
100PCS
価格:
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支払方法:
T/T,ウェスタン・ユニオン
仕様
日付コード:
最新のコード
輸送する:
DHL/UPS/Fedex
条件:
新しい*オリジナル
保証:
365日
鉛のない:
ローズ・コンパイル
リードタイム:
すぐに出荷する
紹介

IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds

IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds

IXYS
製品カテゴリー: 離散半導体モジュール
RoHS について 詳細
パワー MOSFET モジュール
そうだ
- 30V, +30V
シャーシマウント
SOT-227-4
- 55°C
+150C
IXFN38N100
トューブ
ブランド: IXYS
構成: シングル
秋の時間 15 ns
高さ: 9.6mm
Id - 連続流出電流: 38A
長さ: 38.23mm
チャンネル数: 1 チャンネル
Pd - エネルギー分散: 890W
製品タイプ: 離散半導体モジュール
Rds ON - 排水源抵抗: 250mOhms
昇る時間: 28 ns
サブカテゴリ: 離散半導体モジュール
商標名: ハイパーフェット
トランジスタの偏性: Nチャンネル
典型的な切断遅延時間: 57 ns
典型的オンアップ遅延時間: 25 ns
Vds - 排水源の断熱電圧: 1kV
幅: 25.42mm
単位重量: 1.058219オンス

 

IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds

 

IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds

 

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ストック:
100PCS
MOQ:
1pcs