CY7C1041GN30-10ZSXI SRAM - アシンクロンメモリIC 4Mbit パラレル統合回路IC
CY7C1041GN30-10ZSXI SRAM - アシンクロンメモリIC 4Mbit パラレル
| キプロス | |
| 製品カテゴリー: | SRAM |
| RoHS について | 詳細 |
| 4 Mbit | |
| 256k x 16 | |
| 10 ns | |
| - | |
| パラレル | |
| 3.6V | |
| 2.2V | |
| 45mA | |
| - 40°C | |
| + 85C | |
| SMD/SMT | |
| TSOP-44 | |
| トレー | |
| ブランド: | キプロス |
| メモリタイプ: | 揮発性 |
| 湿度感がある | そうだ |
| 製品タイプ: | SRAM |
| サブカテゴリ: | メモリとデータ保存 |
| タイプ: | アシンクロン |
| 単位重量: | 0.015988オンス |
機能説明
CY7C1041GNは高性能CMOS高速静的RAM
25万6千文字を 16ビットに分けています
チップ有効化 (CE) と
/O のデータを提供しながら,Low の Enable (WE) 入力を書き込みます.
/015からAOのアドレスからA17のピンまで
Enable (BHE) とByte Low Enable (BLE) の入力制御書き込み
指定されたメモリの上位および下位バイトへの操作
BHEは/O15とBLEは/Oで IOgを制御する.
1から107まで
データ読み取りは,チップ有効化 (CE) と
出力 (OE) の入力が低くなって,必要な出力を供給する
読み取れるデータは I/O にアクセスできます.
バイトアクセスは,
要求されたバイトの信号 (BHEまたはBLE) の読み取りを有効にする
指定されたデータから上位バイトまたは下位バイト
アドレスの位置
すべてのI/O (I/Ooから/O15) は高阻力状態に置かれます.
次のイベントの際に:
■デバイスの選択を停止 (CE HIGH)
m 制御信号 (OE,BLE,BHE) が停止される
特徴
■高速
tAA= 10 ns/ 15 ns
■低アクティブ電流と待機電流
常動電流 lcc = 38mA
待機電流: Ise2 = 6mA 典型的な
■動作電圧範囲:1.65Vから2.2V,2.2Vから3.6V
4.5Vから5.5V
■1.0Vデータ保存
■TTL対応の入力と出力
■Pb のない44ピンSOJ,44ピンTSOP Il,48ボールVFBGA
パッケージ
メモリタイプ: 揮発性
メモリ形式: SRAM
技術: SRAM - アシンクロン
メモリサイズ: 4Mb
メモリ組織: 256k x 16
メモリインターフェイス: パラレル
サイクルの時間 - Word,ページ: 10ns
アクセス時間: 10ns
電圧 - 供給: 2.2V ~ 3.6V
動作温度: -40°C ~ 85°C (TA)
設置タイプ: 表面マウント
パッケージ/ケース: 44-TSOP (0.400", 10.16mm 幅)
供給者のデバイスパッケージ: 44-TSOP II
