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IS61LPS25636A-200TQLI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz シンクロ SRAM 3.3v 統合回路IC

カテゴリー:
集積回路 ic
価格:
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支払方法:
PayPal,TT,ウェスタンユニオン
仕様
日付コード:
最新のコード
輸送する:
DHL/UPS/FEDEX
条件:
新しい*オリジナル
保証:
365日
鉛のない:
ローズ・コンパイル
リードタイム:
すぐに出荷する
パッケージ:
TQFP-100
マウントスタイル:
SMD/SMT
紹介

IS61LPS25636A-200TQLI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz シンクロ SRAM 3.3v 統合回路IC

IS61LPS25636A-200TQLI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz 同期 SRAM 3.3v

ISSI
製品カテゴリー: SRAM
RoHS について 詳細
9 Mbit
256k x 36
3.1 ns
200 MHz
パラレル
3.465V
3.135V
275 mA
- 40°C
+ 85C
SMD/SMT
TQFP-100
トューブ
ブランド: ISSI
メモリタイプ: SDR
湿度感がある そうだ
ポート数: 4
製品タイプ: SRAM
シリーズ: IS61LPS25636A
72
サブカテゴリ: メモリとデータ保存
タイプ: シンクロン
単位重量: 0.023175オンス

 

記述
ISSI IS61LPS/VPS25636A,IS61LPS25632A
IS64L PS25636AとIS61LPS/VPS51218Aは,高濃度で
スピード,低出力同期静的RAMSを設計した
コンピュータのメモリに高速で爆発性のある
IS61LPS/ ネットワーク・通信・ネットワーク・アプリケーション
VPS25636AとIS64L PS25636Aは,次のように組織されています.
262IS61LPS25632Aは,この文字を入力して,
IS61LPS/は, 32 ビットで 262,144 単語として組織されています.
VPS51218Aは,524,288文字で 18ビットに分けられています
ISSTの先進的なCMOS技術で製造された
装置には2ビットバーストカウンタ,高速
SRAMコアとハイドライブ能力の出力
モノリシック回路 すべての同期入力を通過します
ポジティブエッジトリガーシングルで制御されるレジスタ
時計入力
書き込みサイクルは内部で自動タイムで,
書き込みサイクルは
書き込み制御によって制御されるように,幅が1~4バイト
インプット
単一のバイトが書き込まれることを可能にする.
バイト書き込み操作は,バイトを使用して実行されます.
書き込み有効化 (BWE) 入力と1つ以上の入力
単一のバイト書き込み信号 (BWx).
Write (GW) は,すべてのバイトを同時に書き込むことができます.
バイトの書き込み制御に関係なく
ADSP (アドレスの状態) で起動できます.
ADSC (アドレスステータスキャッシュコントローラー)
次のバーストアドレスは生成できます.
ADV (バーストアドレス) によって制御されます.
前進) 入力ピン
モードピンは 爆発順序を選択するために使用されます
このピンがLowに縛られているとき,線形爆発が達成されます.
このピンがHIGHに縛られているときにインターリーブブレストは達成されます
浮いてしまって

 

特徴
●内部自律書き込みサイクル
●個別バイト書き込み制御とグローバル書き込み
●時計制御,登録住所,データ,および
コントロール
●MODE入力を使用したバーストシーケンス制御
●3つのチップを有効にすることで,簡単な深度調査を可能にします.
パンションと住所パイプライン
●共通データ入力とデータ出力
●選択を停止する際に自動オフ
● 単回転の選択を消す
● スヌープ モード 低電力 待機
●JTAG BGA パッケージの境界スキャン
●電源
LPS:VoD 3.3V 土5%,VoDa 3.3V/2.5V 土5%
VPS:VDD 2.5V土5%,VODo 2.5V土5%
●JEDEC 100ピンのQFP,119ボールのBGAと165ピンの
ボール BGA パッケージ
●無鉛 提供

 

IS61LPS25636A-200TQLI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz シンクロ SRAM 3.3v 統合回路IC

 

 

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