S34ML02G200TFI000 FLASH - NANDメモリIC 2Gbit パラレル 48-TSOP 統合回路IC
カテゴリー:
集積回路 ic
価格:
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支払方法:
PayPal,TT,ウェスタンユニオン
仕様
製品カテゴリー:
Rf Mosfetのトランジスター
パッケージ:
スタンダード
工場用品数:
200PCS
サブカテゴリー:
インターフェースIC
日付コード:
最新のコード
輸送する:
DHL/UPS/FEDEX
状態:
新しい*オリジナル
保証:
365日
鉛のない:
ローズ・コンパイル
リードタイム:
すぐに出荷する
パッケージ:
TSOP48
マウントスタイル:
SMD/SMT
ハイライト:
S34ML02G200TFI000
,S34ML02G200TFI000 集積回路IC
紹介
S34ML02G200TFI000 FLASH - NANDメモリIC 2Gbit パラレル 48-TSOP
| スパンション | |
| 製品カテゴリー: | NANDフラッシュ |
| RoHS について | 詳細 |
| SMD/SMT | |
| S34ML02G2 | |
| 2 Gbit | |
| パラレル | |
| 256 M × 8 | |
| アシンクロン | |
| 8ビット | |
| 2.7V | |
| 3.6V | |
| 35mA | |
| - 40°C | |
| + 85C | |
| トレー | |
| ブランド: | スパンション |
| メモリタイプ: | NAND |
| 湿度感がある | そうだ |
| 製品: | NANDフラッシュ |
| 製品タイプ: | NANDフラッシュ |
| サブカテゴリー: | メモリとデータ保存 |
一般説明
Cypress S34ML 08G18-Gb NANDは,x8 I/0 インターフェースで 3.3 Vcc で提供されています.
S34ML 08G1装置に関する情報を含みます.この装置はS34ML 04G1の2つのダブルダイスタックです.
細かい仕様については,別々の模具のデータシート S34ML04G1を参照してください.
特徴
密度
-8Gbx4Gbx2
アーキテクチャ (各4GBデバイス)
- 入力/出力バス幅: 8ビット
- ページサイズ: (2048 + 64) バイト; 64 バイトは余分な領域です
- ブロックサイズ: 64ページまたは (128k + 4k) バイト
- 飛行機の大きさ
- 2048 ブロック/平面または (256M + 8M) バイト
- デバイスのサイズ
- 2 機種 1 デバイスまたは 512 Mbyte
■NAND フラッシュ インターフェース
- オープン NAND フラッシュ インターフェイス (ONFI) 1.0対応
- アドレス,データ,コマンド
供給電圧
- 3.3V装置: Vcc =2.7V ~ 3.6V
パフォーマンス
■Page Read 1 プログラム
- ランダムアクセス: 25 μs (最大)
- 連続アクセス: 25 ns (分)
- プログラム時間 1 マルチプレーン プログラム時間: 200 μs (タイプ)
ブロック消去 1 多面消去 (S34ML04G1)
- ブロック消去時間: 3.5 ms (タイプ)
■セキュリティ
- 一度プログラム可能 (OTP) エリア
- ハードウェアプログラム/消去は,電源の切り替え中に無効
■追加の特徴
- 多機プログラムと消去コマンドをサポートします
- コピーバックプログラムをサポート
- 多機複製バックプログラムをサポート
- キャッシュを読み取れる
電子署名
- 製造者 ID: 01h
■動作温度
- 工業用: - 40°Cから85°C
- 自動車: - 40 °Cから105 °C
■信頼性
- 100,000 プログラム 1 消去 サイクル (タイプ)
(1ビット/512 + 16バイト ECC)
- 10 年データ保存 (種類)
- ブロック0と1は有効で,少なくとも有効になります
ECC でプログラム 消去 サイクル 1000 回
■パッケージオプション
- 鉛のない低ハロゲン
- 48ピンのTSOP 12x20x1.2mm
- 63ボール BGA9×11×1ミリ
仕様:
- 密度: 2Gb (256MB)
- 組織: 2048ブロック x 64ページ x 2112バイト
- インターフェース:モード2を切り替える0
- 電圧供給: 3.3V
- 動作温度範囲: -40°Cから+85°C
- ページ読み取り時間: 25μs (典型)
- ページプログラムの時間: 200μs (典型)
- 消去時間: 2ms (典型)
- 耐久性: プログラム/消去サイクル100,000回 (最低)
- データ保存: 10年 (最低)ラング
特徴:
- 高性能NANDフラッシュメモリ
- 信頼性と耐久性のある貯蔵ソリューション
- 要求の高い用途に適しています
- 迅速なデータ転送のためのモード2.0インターフェースを切り替える
- 汎用的な使用のために幅広い動作温度範囲ラング
応用:
- 自動車: インフォエンターテイメントシステム,ナビゲーションシステム,インスツームクラスターで使用される.
- 産業: 産業自動化,ロボット工学,制御システムで使用される.
- ネットワーク: ルーター,スイッチ,ネットワークストレージデバイスで使用される.
- 消費者電子機器:スマートフォン,タブレット,カメラ,携帯メディアプレーヤーで使用ラング.
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
1
