JS28F512M29EWHA フラッシュ - NOR メモリIC 512Mbit パラレル 110ns 56-TSOP 集積回路IC
JS28F512M29EWHA フラッシュ - NOR メモリIC 512Mbit パラレル 110ns 56-TSOP 集積回路IC
| マイクロン技術 | |
| 製品カテゴリー: | NORフラッシュ |
| SMD/SMT | |
| TSOP-56 | |
| M29EW | |
| 512 Mbit | |
| 2.3V | |
| 3.6V | |
| 50mA | |
| パラレル | |
| 64 M x 8/32 M x 16 | |
| 8ビット/16ビット | |
| アシンクロン | |
| - 40°C | |
| + 85C | |
| トレー | |
| ブランド: | マイクロン |
| メモリタイプ: | NOR |
| 製品タイプ: | NORフラッシュ |
| スピード: | 110 ns |
| 標準: | 共通フラッシュインターフェイス (CFI) |
| サブカテゴリ: | メモリとデータ保存 |
| タイプ: | 起動ブロック |
特徴
●2Gb = 積み重ねられたデバイス (1Gb の2つのダイ) 供給電圧
- Vcc=2.7〜3.6V (プログラム,消去,読み)
- VccQ=1.65- -Vcc (1/0バッファ)
●無期ランダム/ページ読み込み
一ページサイズ: 16語または32バイト
一ページへのアクセス: 25ns
- ランダムアクセス: 100ns (Fortified BGA);110ns (TSOP)
● バッファー プログラム: 512 文字 の プログラム バッファー
● プログラム 時間
一0.88us / バイト (1.14 MB/s) TYP をフルで使うとき
バッファープログラムで 512 文字のバッファサイズ
● 記憶 の 組織
- 単一ブロック: 128Kbytes または 64-kword 各
●プログラム/消去制御器
- 組み込みバイト (x8) /ワード (x16) プログラム algo-
リズム
●プログラム/消去 停止 復旧 機能
- プログラム中に別のブロックから読み
SUSPEND 操作
- 削除中に別のブロックを読み取ったりプログラムしたりします
SUSPEND 操作
削除されたブロックを検証する BLANK CHECK 操作
● ブロック 消去 チップ 消去 書き込み
バッファ能力
- 急速なバッファ/バッチプログラミング
- スピードブロック/チップ消去
●Vpp/WP#ピン保護
- ブロックに関係なく,最初のまたは最後のブロックを保護します
保護設定
ソフトウェア保護
- 揮発性保護
- 揮発性のない保護
- パスワード保護
一 パスワードアクセス
●拡張メモリブロック
一128語 (256-バイト) ブロック 永久,セキュア
識別
一 工場でプログラムまたはロック
顧客
●低消費電力:待機モード
●JESD47 に準拠する
一100ブロックあたり最低000回のERASEサイクル
- データ保存: 20年 (TYP)
65nm 多層細胞 MLC) プロセスの技術
パッケージ
一56ピンのTSOP,14x20mm
64ボール強化BGA,13x11mm
●緑色パッケージが利用可能
- RoHS対応
- ハロゲンなし
●動作温度
-環境: -40°Cから+85°C
電話: +86-755-23606019
アドレス: 部屋1205-1207 ナンワンビル 華府道 フティアン地区,シェンゼン,広東,中国
レーニア
電話番号: +86-13420902155
メール:sales@wisdtech.com.cn
ウェチャット:laneyatao66
WhatsApp: +8613420902155
スカイプ:sales@wisdtech.com.cn
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR フラッシュ SPI 1Gbit 4 3 ボルト 24/25 TBGA 2
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MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT統合回路
| 画像 | 部分# | 記述 | |
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR フラッシュ SPI 1Gbit 4 3 ボルト 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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NT2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C |
NT5CC128M16JR-EK DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA
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MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT統合回路 |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
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