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NT1 株式会社
,2Gbit DRAMチップ
,NT2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2
NT2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C
| モデル | NT1 株式会社 |
| DRAM密度 | 2Gb |
| 設定する | x16 |
| 電圧 | 1.35V |
| パッケージ | 96ボールのBGA |
| スピード | 1866Mbps |
| 温度 | -40C~95C |
| グレード | 産業用 |
記述
JEDEC DDR3 に準拠する
8n プレフェッチ建築
差分時計 (CK/CK) とデータストローブ (DQS/DQS)
DQ,DQS,DMに関する二重データ発生率
データの完全性
自動自動リフレッシュ (ASR) DRAM内蔵TS
自動リフレッシュと自己リフレッシュモード
省エネモード
停電モード
信号の整合性
システム互換性のために設定可能なDS
設定可能な切断式
◎DS/ODTインペダンス精度のためのZQ校正
外部ZQパッド (240オム ± 1%)
シグナル同期
MR 設定5 を使ってレベリングを書き込む
MPR を使ってレベルリングを読む
インターフェースと電源
DDR3:VDD/VDDQ=1.5V (±0.075V) のSSTL_15
DDR3LのSSTL_1353:VDD/VDDQ=1.35V ((-0.067/+0.1V)
オプション
スピードグレード (CL-TRCD-TRP) 1
2千133 Mbps / 14〜14〜14
¥ 1866 Mbps / 13-13-13
1600 Mbps / 11-11-11
温度範囲 (Tc) 3
商用級 = 0°C~95°C
半工業級 (-T) = -40°C~95°C
工業用品 (-I) = -40°C~95°C
プログラム可能な機能
CAS遅延 (6/7/8/9/10/11/13/14)
CAS 書き込み遅延 (5/6/7/8/9/10)
添加性遅延 (0/CL-1/CL-2)
書き直す時間 (5/6/7/8/10/12/14/16)
爆発型 (連続型/間接型)
爆発長さ (BL8/BC4/BC4 または 8 飛行中)
自転更新温度範囲 ((正常/拡張)
出力ドライバインペデンス (34/40)
Rtt_Nomの即時終了 (20/30/40/60/120)
Rtt_WRの終了時 (60/120)
前充電 停止 (遅い/速い)
シェンzhen Wisdtech Technology Co., Ltdは,世界中の有名な半導体集成回路 (ICS) に特化した大規模サプライヤーです.
販売管理の経験は長年あり,様々な電子部品を専門的にサポートし,長年大量のストックを持っています.
主にCCTC先端セラミックコンデンサーのエージェントです
RICHTEK,SGMRICOは,AD,XILINX,ST,ALTERA,TIおよびすべてのシリーズICとレジスタ,インダクターおよびモールドを配布しています.この製品は,ポータブル電子製品の分野で広く使用されています.テクノロジーをベースにし,市場を重視するビジネス経験が豊富で 完全な経営システムを確立しましたアメリカ合衆国における製造業者と代理人との良好な協力関係を確立した.,ヨーロッパ,日本,韓国,台湾,そして常にサービスの質を向上させています.したがって,それは,ほとんどのユーザーの強い支持と高い信頼を得ています!ビジネスが急速に発展し,全国各地で多くのトレーダーと製造業者と長期間の友好的な協力関係を確立しました会社は常に"品質第一,合理的な価格,迅速な配送とサービス第一"の開発概念と目的に固執しています.企業に最も満足のいくサービスを提供する義務があります強力な市場サービスネットワークを通じて,私たちは標準化,プロフェッショナル,多様化され,企業に高品質の全般的なサービスを提供します.
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レーニア
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR フラッシュ SPI 1Gbit 4 3 ボルト 24/25 TBGA 2
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT統合回路
JS28F512M29EWHA フラッシュ - NOR メモリIC 512Mbit パラレル 110ns 56-TSOP 集積回路IC
| 画像 | 部分# | 記述 | |
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR フラッシュ SPI 1Gbit 4 3 ボルト 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT統合回路 |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
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JS28F512M29EWHA フラッシュ - NOR メモリIC 512Mbit パラレル 110ns 56-TSOP 集積回路IC |
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR Memory IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP Integrated Circuits ICs
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